4个元件22扉钛笆哇0V降5VAC-DC非隔离开关电源芯片方案
功能描述WD5201是--款紧凑型无电感设计的高集成度离线式线性稳压器。WD5201具有宽输入电压(80-305Vac)，可调输出电压，最高输出电流限制的特点，适用于非隔离型AC-DC小家电应用。启动电流.在WD5201启动阶段，内部高压电流源(10mA)通过芯片Drain管脚对VDD电容充电。该充电电流在VDD电压上升至Vop_ON以后停止，同时IC开始正常工作，主功率通道从高压电流源切换为内部功率MOSFET对后级提供能量。AC同步检测及主动泄放电路内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAc__sync_OFF以后,内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路:该泄放电路在VDD电压低于VoD__OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到Voo__OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护(UVP,OLPorOTP)发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。输出电流限制集成有输出电流限制电路。该电路检测LDO的输出电流并直接控制LDO的通断。为避免短路或过载发生时LDO输出电流过大导致芯片损坏，典型的输出电流限制值设置为138mA。当发生短路或者过载时，该电路限制最大输出电流，同时随输出电压跌落触发输出欠压保护。输出欠压保护(UVP)当输出功率大于所能提供的最大功率时，输出电压随之跌落。当输出电压跌落值超过其额定电压的12.5%，触发输出欠压保护，LDO关闭并等待2个AC周期后重启。过载保护(OLP)随负载加重输出电压降低，系统触发输出欠压保护。当持续触发欠压保护超过50ms，系统触发过载保护，关闭内部功率MOSFET和LDO输出，并计时640ms自恢复延迟时间以后进入自恢复重启过程。同时，VDD电压被内部高压电流源上拉到Vop__OVP。VDD过压保护(VDDOVP)开机以后，WD5201开启VDD过压保护功能。在AC充电窗口期间，VDD电压有2种行为模式。种是在当前充电窗口期间VDD电压上升至OVP触发电压(典型7.8V)，则AH8651关闭内部功率MOSFET，限制VDD最高电压。另一种是在当前充电窗口期间VDD无法_上升至OVP触发点，则内部功率MOSFET被AC同步检测信号关闭，并等待下一个充电窗口继续充电。通过这种方式，AC交流输入能量仅在主线低压部分进行传递，从而降低了内部功率MOSFET的损耗。当内部功率MOSFET打开时，输入电流对VDD电容和负载提供能量;当MSOFET关闭时，由VDD电容放电对负载提供能量。雷击浪涌保护当发生雷击浪涌时，AC线电压会耦合一个非常高的浪涌尖峰。如果该浪涌尖峰在充电窗口期间出现，且幅值超过100Vdc，系统触发雷击浪涌保护,IC快速关断内部功率MOSFET，同时进入自恢复重启过程。内置过温保护(OTP)当芯片温度超过160°C，芯片触发过温保护，关闭主功率MOSFET和LDO输出。当芯片温度低于140°C，芯片进入自恢复重启过程。自恢复重启在触发各种保护(如过载保护，过温保护和雷击浪涌保护)时，芯片会进入自恢复重启过程，同时芯片内部功率MOFET关闭。当计时640ms自恢复延迟时间以后，芯片内部信号清零并重新启动。随后如果保护状态依然存在，则芯片继续重复上述自恢复重启动作。交流220V转3.3V5V无电感交流输入线性稳压芯片主要特点精度高输出电压:2%输出可调:5V/3.3V/2.7V优化控制方式，提升效率宽输入电压范围:80~305VAC无需功率电感无需输入高压电容器件少，成本低快速动态响应输出短路保护1输出欠压保护1输出过载保护1内置过热保护1封装类型SOP-8典型应用小家电电源墙壁开关和调光器
