下面就是小编带给大家的怎样制作异质结方法操作，希望能够给你们带来一定的帮助，谢谢大家的观看。
方法/步骤
1、异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型粲茸锿枋不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。
2、通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。
3、异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
4、具有强关联特性的LaA103/SrTi03过渡金属氧化物异质界面，可以用来制造纳米尺度场效应管、新型量子霍尔系统和高温超导体，具有应用到下一代电子器件上的潜力。
5、由于雒贫贼敖过渡金属氧化物的强关联特性，该界面会呈现出与半导体界面不同的性质，在其界面处形成的二维电子气与传统的半导体界面不同。为了能将过渡金属氧化物异质结界面的这种性质应用于实际领域芟坳葩津，需要将其制作为场效应晶体管器件。
6、因为增大栅介质层厚度将导致栅电容对器件沟道电荷的控制力减弱，而减小栅介质层厚度则会导致栅极击穿电流的降低。
